在顯示技術競相追逐的今天，miniLED以其zhuo越的對比度、亮度和精細的控光能力，已成為gao端顯示屏的代名詞。然而，璀璨畫質的背后，是數以萬計微米級芯片的精密協作，這對制造工藝的可靠性提出了qian所未有的挑戰。其中，固晶工藝的強度——即miniLED芯片與基板之間的結合力，是決定產品生命線的“基石"。推力不足，意味著潛在的暗點、閃爍乃至整屏失效，直接關乎品牌聲譽與市場成敗。
因此，miniLED推力測試已從一項普通的質檢工序，躍升為確保量產良率、提升產品可靠性的核心技術關卡?？茰蕼y控小編旨在通過本文，系統性地闡述推力測試的核心原理、行業標準，并詳細解析基于Beta S100推拉力測試機的標準作業流程，為業界同仁提供一份從理論到實踐的完整參考，助力跨越miniLED量產的可靠性之門。
一、 測試原理
miniLED推力測試，又稱芯片剪切力測試（Die Shear Test），其核心原理是使用一個精密的推刀（Test Tool），以恒定且低速度水平推向已固晶的miniLED芯片側面，直至芯片與基板之間的結合界面發生破壞。
測試機通過高精度傳感器實時監測并記錄推刀所承受的力值變化，其峰值（Peak Force）即為該芯片的結合力值。通過分析該力值的大小以及破壞后界面的失效模式（Failure Mode Analysis, FMA），可以定量評估固晶工藝的強度、一致性與潛在缺陷，為工藝優化和質量判定提供精準的數據依據。
二、 測試標準與目的
1、目的
質量監控：定量檢測固晶工藝的加工質量，確保每顆芯片的結合力滿足產品可靠性要求。
工藝改進：通過失效模式分析，精準定位固晶、焊料、芯片或基板環節的缺陷，指導工藝參數優化。
來料檢驗：評估焊膏、基板或芯片本身的質量批次穩定性。
可靠性驗證：作為產品可靠性驗證（如熱老化、溫濕度循環后）的關鍵評價手段。
2、內部質量標準（示例）
企業通常根據自身產品設計、材料體系和可靠性要求制定內部標準。一個常見的合格判據示例如下：
平均推力（Average） ≥ 80 gf (gram-force)
最小推力（Min） ≥ 50 gf
過程能力指數（CPK） ≥ 1.33 (表明工藝穩定且具備足夠的過程能力)
失效模式：不允許出現“焊盤剝離"等基板本質缺陷；“芯片脫落"比例需控制在極低水平。
三、 測試儀器與夾具
1、Beta S100推拉力測試機
該系統具備高分辨率力值傳感器、精密運動控制平臺和專用測控軟件，是完成微牛頓級精密推力測試的關鍵。
關鍵工具：
推刀（Shear Tool）：需根據芯片尺寸（如100x200µm）精確選擇。其刃口寬度必須大于芯片寬度但小于芯片間距，以確保只推動目標芯片而不觸碰到鄰近芯片。
定制化工裝夾具：用于穩固裝夾待測的miniLED樣品板，防止測試過程中基板移動或振動，確保測試數據的準確性。
輔助設備：顯微鏡或集成攝像頭，用于精確設定剪切高度和進行失效模式觀察。
四、 測試流程（SOP）
1. 準備工作
開啟Beta S100測試機及軟件，預熱穩定。
根據待測芯片尺寸，安裝合適規格的推刀。
使用定制化工裝，將已完成固晶的miniLED樣品板牢固地裝夾在測試平臺上。
在軟件中設置測試參數（詳見下文）。
2. 參數設置
測試類型：破壞性剪切測試
選擇量程：250g (確保預估力值在量程的10%-90%內)
測試速度：500 µm/s (標準速度，保證測試的均衡性)
剪切高度：10 µm (此為關鍵參數！)
注意：此高度是一個初始設定值。實際操作中，應先在顯微鏡下將推刀下降至剛好接觸基板表面，然后在此基礎上抬升一個精確高度，理想位置為芯片高度的1/4至1/3處。必須通過顯微鏡觀察并微調該值，過高或過低都會導致測試結果失真。
樣本數量：60 pcs (為保證統計意義，建議每批不少于30顆)
3. 執行測試
在軟件中移動平臺，將推刀精確定位到第一顆待測芯片旁，中間留有微小間隙。
確認參數和位置無誤后，點擊軟件中的“開始測試"。
設備自動運行：推刀下降至設定高度 → 以500µm/s速度水平推動芯片 → 傳感器記錄實時力值曲線 → 芯片被推脫后，推刀自動退回。
軟件自動捕捉并記錄峰值推力值（單位: gf）。
4. 失效模式分析（FMA）
在一次測試完成后，立即通過顯微鏡或攝像頭觀察芯片脫落后的焊盤形貌。
判斷并記錄失效模式，這是分析問題的關鍵：
芯片脫落 (Die Shear)：芯片與焊料wan全分離，焊盤干凈。表明界面結合力最差，需優化焊接工藝（溫度、壓力、曲線）。
焊料內聚斷裂 (Solder Cohesive Failure)：焊料本身被剪斷，一部分殘留于芯片，一部分殘留于焊盤。表明結合力尚可，但焊料強度或回流焊工藝有待優化。
焊盤剝離 (Pad Lift)：基板上的銅焊盤被從基材上撕脫。表明結合力已超過基板自身附著力，是基板質量問題，需反饋給供應商。
芯片碎裂 (Die Crack)：芯片本身破裂。可能是推力過大、剪切高度過低或芯片本身存在隱裂。
在軟件中為該次測試結果備注對應的失效模式。
5. 循環測試
移動平臺，將下一顆待測芯片定位到推刀前。
重復執行步驟3和步驟4，直至完成全部60顆芯片的測試。
五、 結果分析與報告
數據導出：測試完成后，將全部60個有效數據（含推力值和失效模式備注）從軟件中導出至Excel或SPC統計軟件。
統計分析：
計算平均值 (Average)、標準差 (σ)、最大值 (Max) 和最小值 (Min)。
計算過程能力指數 (CPK)，全面評估生產工藝的穩定性和一致性。
結果判定與反饋：
將統計結果與內部質量控制標準進行對比，判定該批次固晶工藝是否合格。
生成測試報告：報告應包含推力數據統計表、力值分布圖、失效模式分布餅圖以及CPK。
提出改進建議：根據失效模式的分布比例，給出精準的改進方向。例如，若“芯片脫落"模式居多，則重點優化固晶工藝；若“焊盤剝離"頻發，則立即聯系基板供應商進行質量追溯。
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